單晶硅片平面研磨拋光用硅片平面拋光機

　　到目前為止平面拋光機的拋光是唯一可實現單晶硅片全局平面化的技術設備,采用該方法可使整個硅片獲得超光滑和無損傷的表面。其中,拋光液的質量是影響CMP效果的一個關鍵因素。目前,硅片CMP普遍使用粒徑為50~70 nm的球形SiO2為磨粒。作為一種高效拋光粉,納米CeO2已廣泛應用于超大規模集成電路SiO2介質層和隔離溝槽的化學機械拋光,具有高拋光效率和高表面質量等優點。有研究表明,將球型納米CeO2用于單晶硅片的化學機械拋光時,其拋光效率比球形SiO2高。

　　不過,平面拋光機納米CeO2拋光硅片的研究還處在初始階段,拋光液制備技術及相關拋光機理有待進一步完善。我國稀土鈰資源廣闊,如能開發出適于硅片拋光的納米CeO2拋光液,將會促進硅片超精密加工技術的發展,社會經濟效益可觀。由此可見稀土拋光粉在單晶硅片的拋光過程中有著重要的作用，對單晶硅片的平面拋光機市場也有著相當大的影響。單晶硅片的平面拋光機技術在行業內的應用前景非常大，發展還有很大空間。

　　海德研磨的硅片平面拋光機可以使單晶硅片平面化，提高單晶硅片表面的光滑度和精度。下面簡單給大空介紹這種硅片用平面拋光機。

　　硅片平面拋光機作用:

　　本系列研磨機特別適合于金屬件?晶體等鏡面效果的單平面研磨拋光,配合本公司研發配置的研磨拋光耗材使用后的工件可達鏡面效果。光潔度可達納米級,拋光后無橘皮?料紋?麻點?劃痕等,放于空氣中而不氧化。可滿足小?中型工件的量產要求,同時也適合模具?不銹鋼?陶瓷片?硬盤?密封件等各種半導體及金屬材料的鏡面研磨拋光。該機器適用性強,可用于各種不同材質的研磨拋光,加工不同的材質只需更換工藝即可,根據客戶不同的材料選擇不同的工藝。有多款產能不同的機器可選,客戶可根據不同產量要求選擇對應機型。

　　硅片平面拋光機特點:

　　1.配合高精密度的修盤裝置,使研磨平面度最高達到±0.002mm左右。

　　2.變頻控制,實現軟啟動,軟停機,沖擊力小,減少工件損傷。

　　3.系列研磨機采用PLC可編程控制系統?觸摸屏操作面板,研磨盤轉速與定時可直接在觸摸屏上輸入。

　　4.配研磨液自動噴霧系統,使磨料能均勻的噴灑在研磨盤上,加工出來的工件良率更高更穩定。還可以減少研磨的時間,節省了耗材的成本,也符合了環保要求。

　　5.采用軍工軸承,臺灣原產電機,確保設備的穩定性和壽命,確保工件的高精密要求。

　　海德精密研磨不僅生產硅片平面拋光機，還承接硅片拋光加工、研磨拋光加工、平面拋光加工、不銹鋼、銅、鋁、塑膠、陶瓷、導光板、五金產品、藍寶石、光學玻璃等各類拋光加工服務。海德精密研磨有四百平米的專業拋光加工區，專門為客戶提供來料加工，海德擁有成熟的生產工藝，先進生產設備，硅片拋光加工、五金拋光加工是海德經營的重點服務，加工數量大，范圍廣，質量好，性能好。海德謹取以人為本，共同發展的經營方針，竭誠為客戶提供精密的研磨拋光加工服務。